RZQ是一个位于颗粒外侧与颗粒连接的标准240Ω电阻不会随着电压/温度变化而变化而颗粒内各种电阻会因环境变化而产生阻值改变如Ron 和 ODT分别是DDR的输出结构的上下拉电阻和输入结构的上下拉电阻(它们的数值可通过 MRx 模式寄存器编程以 RZQ 的若干份之一为单位)引入ZQ training为解决这种不确定通过外部标准240Ω电阻校准颗粒内部阻值。与ZQ training关联命令如下Cal命令BackGround Cal自动周期执行适合稳定工作状态下的持续阻抗维护Command-Base Cal由控制器启动初始化必使用。注Cal时需要满足1VDDQ0.5V(DVFSQ close); 2)Initiator die不处于power down结果命令ZQ Lat更新Cal结果如果只有ZQC而无Lat相当于无效Cal注ZQUF(ZQ update flag)MR4[5]周期性tZQINIT读取是否拉高决定是否更新ZQ Lat停止命令ZQ stop进入PD前需要先举起;注在DVFSQ启用模式下VDDQ0.3V不执行ZQ校准因为在该模式下总是禁用ODT下图分别是ZQ CBC/ZQ BGC/时序参数注tZQCALx视共用ZQ 资源的DRAM die数量决定有 tZQCAL4, tZQCAL8 or tZQCAL16LPDDR5 DRAM可以共享ZQ pin为防止多个芯片同时执行ZQ校准需要芯片之间进行通信ddrc可指定master