芯片封装与系统——电磁学理论模型一、基础电磁理论模型编号模型名称核心数学描述关键参数与物理意义应用场景与说明EM1.001麦克斯韦微分方程组∇·D=ρ, ∇·B=0, ∇×E=-∂B/∂t, ∇×H=J+∂D/∂tD-电通密度(C/m²), B-磁通密度(T), E-电场强度(V/m), H-磁场强度(A/m)所有电磁现象的基本控制方程，集成电路电磁分析基础EM1.002麦克斯韦积分方程组∮S D·dS=Q, ∮S B·dS=0, ∮C E·dl=-dΦ_B/dt, ∮C H·dl=I+dΦ_D/dtQ-电荷(C), Φ_B-磁通(Wb), I-电流(A), Φ_D-电通量有限区域电磁分析，边界条件推导