了解三极管的组成分为基极集电极和发射极。1.三极管的核心特性为用基极的小电流控制集电极-发射极之间的大电流从而实现电流放大也可以做电子开关。2.三极管分为两大类PNP与NPN。其中PNP发射极箭头指向基极NPN发射极箭头离开基极。了解三极管的种类根据不同特性有不同的三极管。如根据功率工作效率封装形式PN结材料等等。如图为常见的三极管材料。1.PNP三极管可以看作是两个二极管串联空穴是多数载流子电流方向从发射极流入。放大条件发射结正偏、集电结反偏电位关系V-e V-b V-c。2.NPN三极管中间薄层为P型材料多数为自由电子。核心作用为放大弱信号作为电路中最常用的三极管放大条件发射结正偏、集电结反偏电位关系V-c V-b V-e。如图为两类三极管的示意图。当发射极反偏集电极反偏时三极管加入截止状态。此时基极没有有效的控制信号导致两个PN结都关断了发射极正偏集电极反偏时进入放大状态。本质为小的基极电流按比例控制大的集电极电流。发射极正偏集电极正偏时进入饱和状态。此时I-c不在随着I-b按β倍数增长。I-c βI-b失效此时C-E之间类似导通。数字电路三极管做电子开关导通时就工作在饱和区。左边的图为输出特性曲线图描述三种工作状态下的基极电流I-b。右边的图为输入特性曲线图描述基极电流I-b随发射结电压U-be的变化。如图为mos管的两种类型。其中都含有三个极GateG栅极控制极栅极几乎不取电流只用电压控制导通SourceS源极载流子来源DrainD漏极载流子流出端。1.PMOS的导电载流子为空穴采用源极S接高电位VCC的电源接法。栅极低电平-导通栅极高电平-截止。2.NMOS的导电载流子为自由电子。采用源极S接地电位GND的电源接法。栅极高电平-导通。栅极低电平-截止。如图为PMOS与NMOS的等效模型。如图左边为NMOS的输出特性曲线有图为转移特性曲线。