MRAM的全称是Magnetoresistive RAM磁阻随机存取存储器。MRAM嵌入式非易失存储器用电子自旋的磁化方向来存储比特而不是像Flash那样靠浮栅里困住的电荷。这个物理机理的差异直接换来了四个Flash和EEPROM无法同时给出的特征1、非易失。掉电即保持不需要电池也不需要超级电容。这意味着后备电源电路可以整体删掉省BOM、省面积、免维护。2、写入无延迟。不需要擦除写入即刻生效。这一条是最要命的——掉电前的最后一刻母线电容上还剩一点余量计量值、故障码、累计数据必须在这几毫秒里写进去Flash做不到MRAM做得到。3、近乎无限的耐久性。以NETSOL串行系列为例标称写耐久10的14次方次读无限制。工程上完全不需要做磨损均衡算法也不需要外挂ECC。4、长周期数据保持。十年以上85℃MRAM嵌入式非易失存储器足以覆盖工业设备十到二十年的生命周期要求。STT-MRAMNETSOL S3A系列走的是自旋转移矩路线用电流直接翻转磁矩单元更简单微缩性优秀是业界公认的主流方向也被称为MRAM的第二代产品。NETSOL MRAM嵌入式非易失存储器有108MHz SDR或54MHz DDR、10的14次方次写非易失特性。写保护上NETSOL除了/WP硬件保护还多给了Block Lock分区保护属于增强。增强存储区方面NETSOL额外提供256-byte增强非易失区。XIP也是NETSOL侧的支持项可以用来做代码就地执行。