当前AI数据中心的竞争正在从计算芯片延伸至电力基础设施。随着人工智能模型规模扩大、推理需求增长以及高密度GPU集群持续部署数据中心对供电效率、功率密度和能源管理能力提出了更高要求。除了GPU、服务器和网络设备承担电力转换与控制功能的功率半导体也成为AI基础设施技术升级的重要环节。10月9日纳斯达克上市公司XMax Inc.NASDAQ:XMAX发布新闻稿宣布已签署正式股份购买协议拟收购美国企业Hexa Creation Inc.简称HexaGaN100%已发行及流通股权。HexaGaN专注于1200V垂直氮化镓GaN功率半导体技术其研发方向面向下一代AI数据中心电力基础设施及其他高压应用场景。此次拟收购意味着XMax正尝试将此前围绕AI软件、平台服务和GPU基础设施展开的业务布局进一步延伸至高压功率半导体领域。AI数据中心的下一轮升级为什么关注电力系统AI数据中心的算力扩张不仅意味着需要更多高性能计算芯片也意味着更高的电力需求。在大型GPU集群中电力需要经过多级转换与分配才能最终供给服务器及计算芯片。电力转换过程中的能量损耗、设备体积和散热需求都会影响数据中心的整体运行效率。随着单机柜功率密度提高传统供电架构面临新的技术挑战。如何减少电力转换损耗、提高供电效率并在有限空间内支持更高密度的计算设备正成为AI基础设施建设的重要课题。800V直流供电架构800VDC是行业正在探索的技术方向之一。相较于较低电压的供电方式在相同传输功率下提高电压有助于降低电流从而为减少部分传输损耗、优化配电系统设计创造条件。但更高电压的供电架构也对电力转换设备中的半导体器件提出了新的要求包括耐压能力、转换效率、热管理及长期运行可靠性。功率半导体承担着电能转换和控制的重要功能其技术性能直接影响相关电力设备的效率与设计空间。这使得高压功率半导体成为AI数据中心电力基础设施升级过程中值得关注的技术方向。从650V到1200VHexaGaN聚焦垂直氮化镓技术氮化镓是一种宽禁带半导体材料具有适用于高频、高效率电力转换的材料特性。近年来GaN功率器件已逐步应用于充电设备、电源系统等领域。目前商业化GaN功率器件市场较多集中在650V及以下的电压范围。更高电压的应用场景对器件的耐压能力、结构设计和可靠性提出了进一步要求。根据 XMax 10月9日发布的新闻稿HexaGaN正在推进原生1200V垂直GaN沟槽MOSFETNative 1200V Vertical GaN Trench MOSFET技术路线。与目前较为常见的横向GaN器件相比垂直GaN采用不同的器件结构通过垂直方向的电流传导及相应结构设计探索更高电压等级的功率半导体应用。HexaGaN的目标应用包括AI数据中心电力基础设施、电动汽车、储能系统及超快速充电等领域。公司还计划探索功率模块及系统级解决方案等后续产品方向。在知识产权方面XMax新闻稿介绍HexaGaN持有美国一所主要公立大学拥有的部分相关专利及知识产权的独家许可。功率GaN市场扩张AI基础设施成为潜在应用方向功率半导体的应用范围并不局限于AI数据中心还覆盖电动汽车、工业电源、储能及其他电力电子系统。随着电气化和高效率电源需求增长GaN功率器件的市场规模也受到产业研究机构关注。XMax新闻稿引用Yole Group于2025年10月发布的市场预测全球功率GaN市场规模预计将从2024年约3.55亿美元增长至2030年约30亿美元对应年复合增长率约42%。对于HexaGaN所聚焦的高压技术路线而言AI数据中心新兴供电架构提供了潜在应用方向。XMax AI战略进一步延伸至关键硬件技术2026年以来XMax持续推进人工智能业务布局。今年3月公司宣布董事会批准拓展AI业务将AI软件及硬件开发、云与GPU计算基础设施、AI模型接入与调度以及企业级AI Agent等纳入战略发展方向。此后XMax陆续推进AI业务主体建设、模型API服务及GPU计算资源服务逐步拓展面向企业客户的AI基础设施与平台服务能力。在行业应用方面XMax于今年9月宣布与韩国apM Group签署合作意向书双方拟围绕K-Fashion产业探索AI技术应用包括行业专用AI模型、相关基础设施及面向商户的智能化服务。此次合作将XMax的AI业务探索进一步延伸至具体行业场景但相关合作仍处于意向阶段实际落地情况有待后续进展。此次拟收购Hexa Creation则将XMax的战略布局进一步延伸至高压功率半导体技术领域。与此前面向企业客户的模型接入、计算资源及行业应用不同Hexa Creation 聚焦的 1200V 垂直 GaN 技术面向AI数据中心电力基础设施等高压应用场景。从AI平台与算力服务到行业应用再到支撑AI基础设施运行的关键硬件技术XMax正持续拓展其在人工智能产业链中的业务与技术布局。