目录BUCK-BOOSTBUCK-BOOST的原理BUCK-BOOST的电感选型BUCK-BOOST的输出电容选型BUCK-BOOST的输入电容选型BUCK-BOOST的MOSFET和二极管损耗计算BUCKBOOST电路器件计算文章 (qq.com)https://mp.weixin.qq.com/s/ZxlcMmxAdy4gl0fr6OUSEABUCK-BOOSTBuck-Boost 是升降压拓扑输出电压可以高于或低于输入电压。电感在中间与开关管和二极管都串联。输入输出极性相反BUCK-BOOST的原理阶段一Q1导通D1截止阶段二D1导通Q1截止BUCK-BOOST的电感选型该电感需满足饱和电流大于 IL (peak) 的要求。BUCK-BOOST的输出电容选型一个周期内电容的最大电荷量变化就是 Ton 阶段的放电电荷量这个电荷量的变化直接导致了输出电压的纹波整理后得到输出电容的计算公式BUCK-BOOST的输入电容选型一个周期内电容的最大电荷量变化就是 Toff 阶段的充电电荷量这个电荷量的变化直接导致了输入电压的纹波整理后得到输入电容的计算公式BUCK-BOOST的MOSFET和二极管损耗计算BUCKBOOST电路器件计算文章 (qq.com)https://mp.weixin.qq.com/s/ZxlcMmxAdy4gl0fr6OUSEABUCKBOOST 电路的损耗主要包括MOSFET 导通损耗、MOSFET 开关损耗、二极管导通损耗、电感损耗、电容损耗等。准确计算各部分损耗对于热设计和效率评估至关重要。导通损耗MOSFET 导通损耗由导通电阻RDS (ON) 和流过的电流有效值决定开关损耗开关损耗是 MOS 管在开通和关断过程中漏极电压与漏极电流的交叠区域产生的损耗这部分损耗在高频应用中不可忽略。对于线性变化的电压和电流单个开关周期内的开通损耗能量为同理关断损耗能量为总的开关损耗功率为二极管导通损耗二极管仅在 Toff 期间导通其导通损耗由正向压降 VD 和平均电流决定假设选用正向压降 VD0.4V 的肖特基二极管电感损耗电感损耗主要包括铜损DCR 损耗和铁损磁芯损耗。铜损为其中电感电流有效值为铁损通常根据磁芯材料和工作频率估算一般占总损耗的 10%~20%。总效率估算总损耗约为MOS导通损耗MOS开关损耗二极管导通损耗电感损耗电容损耗