EMI外扩SRAM存储芯片2Mb快速异步SRAM为2,095,152位提供两种组织128K×16与256K×8。前者地址线A16A0后者A17A0数据位宽分别为16位与8位均支持UB/LB高低字节控制。EMI高速外扩SRAM存储芯片访问时间分三档8ns、10ns、12ns对应输出使能时间tOE为4ns、5ns、6ns。速度与供电相关——3.3V档可取8ns2.5V档为10ns1.8V档为12ns。低压档速度自然放缓这一点在时序预算里必须如实计入。高速低功耗工控外扩SRAM存储芯片参数①容量2,095,152 bit②两种组织128K×16与256K×8③访问时间tAA 8/10/12nstOE 4/5/6ns3.3V档8ns、2.5V档10ns、1.8V档12ns④供电1.65V3.6V推荐工作条件分两段2.33.6V与1.65~2.2V⑤地址128K×16为A16A0256K×8为A17A0⑥工艺外扩SRAM存储芯片先进CMOS、6TR存储单元⑦封装44 TSOP2⑧温度−40~85℃⑨功耗ICC 8ns典型23mA/最大32mA10ns 21/30mA12ns 19/28mA待机ISB最大15mA⑩数据保持2.0V最低2.5/3.3V、1.5V1.8V恢复时间≥1ms⑪外扩SRAM存储芯片TTL兼容、三态输出、全静态无需时钟与刷新CS/WE/OE加UB/LB高低字节控制