一、带电粒子与物质的四类相互作用带电粒子（重带电粒子如质子、轻带电粒子如电子）入射物质，存在4种基础相互作用：与核外电子的非弹性碰撞库仑相互作用，粒子将能量传递给靶原子外层电子，造成原子电离或激发。这是带电粒子最主要的能量损失方式。LET（线性能量转移）统计的能量就是该过程的电离损失能量。与原子核的非弹性碰撞（轫致辐射）带电粒子在原子核库仑场中偏转减速，向外辐射光子。轫致辐射强度满足关系：强度 ∝ 1/m²，粒子质量越大，该效应越微弱。与原子核的弹性碰撞库仑弹性散射，粒子改变运动方向；部分能量转移给靶原子核，使晶格原子发生位移。该过程能量转化为原子核反冲动能，不产生电离、不计入LET，会带来晶格位移损伤（NIEL）。与核外电子的弹性碰撞仅粒子能量极低（＜100 eV）时才有明显贡献，能量转移量很小，MeV量级质子场景可直接忽略。重要区分：电子 vs 质子 电子静能很小（0.511 MeV），少量动能就能加速至接近光速，因此存在低能高速的描述； 质子静能高达938 MeV，质子的动能和速度一一绑定：动能越高，速度越高，不存在“低能高速/高能低速”的矛盾状态。质子射入半导体介质后会沿径迹持续损失动能，从高速逐步减速；在射程末端（布拉格峰区域）质子变为低速粒子。在减速路径上每一点，剩余动能直接对应瞬时速度。二、临床治疗质子（70~250 MeV）在半导体介质中各相互作用取舍本部分适用于硅、氧化镓（Ga₂O₃）、氧化锌（ZnO）等半导体材料，基础物理原理不变，仅材料定量参数不