[导读]在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器件所采用模型的准确性。无论是 IGBT、碳化硅 (SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的精度密切相关。老话说得好，“垃圾进，垃圾出”，即如果输入的是垃圾，那么输出的也是垃圾。在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器件所采用模型的准确性。无论是 IGBT、碳化硅(SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的精度密切相关。老话说得好，“垃圾进，垃圾出”，即如果输入的是垃圾，那么输出的也是垃圾。设计人员根据产品手册中在实验室环境下测量出的器件特性（如导通损耗、能量损耗和热阻等），构建系统级模型，大多数行业标准模型也都是如法炮制。然而，这些基于产品手册的模型是实验室配置和环境的产物，并不总能反映实际中遇到的各种条件。因此，不可想当然地认为这些来自产品手册的模型能够准确反映电力电子设计人员所面对的各种复杂寄生环境。事实上，制造商的实验环境与电力电